紫外探測在國防、生產、環境、醫療等領域具有不替代的作用。氧化鋅鎂、氧化鎵等寬禁帶氧化物半導體是制備紫外探測器的理想材料。通過材料生長調控和能帶工程設計，具有陡峭截止邊、高抑制比、高靈敏度、速度可調控、超低閾值等優異性能的一系列日盲紫外探測器件被研制成功，這些器件在安全生產和環境監測等領域具有巨大的應用潛力。
